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增強(qiáng)型MOS管的表示

增強(qiáng)型MOS管的表示: 問(wèn) 提問(wèn)者：網(wǎng)友 | 2017-10-22

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MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor即半導(dǎo)體金屬氧化物，它是集成電路中的材料，現(xiàn)在也可指代芯片．MOS內(nèi)部的結(jié)構(gòu)和二極管、三極管差不多，由P-N結(jié)構(gòu)成，P是正的意思(positive)，N是負(fù)的意思(negative).由于正負(fù)離子的作用，在MOS內(nèi)部形成了耗盡層和溝道，耗盡層里的正負(fù)離子相互綜合，達(dá)到了穩(wěn)定的狀態(tài)，而溝道是電子流通的渠道，耗盡層和溝道一般是相對(duì)的耗盡層窄了，溝道就寬了，反之亦然． PNP為耗盡型MOS管，NPN為增強(qiáng)型MOS管 http://www.ekv.cn/Article/electric/control/electron/200606/Article_27809.html MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor即半導(dǎo)體金屬氧化物，它是集成電路中的材料，現(xiàn)在也可指代芯片．MOS內(nèi)部的結(jié)構(gòu)和二極管、三極管差不多，由P-N結(jié)構(gòu)成，P是正的意思(positive)，N是負(fù)的意思(negative).由于正負(fù)離子的作用，在MOS內(nèi)部形成了耗盡層和溝道，耗盡層里的正負(fù)離子相互綜合，達(dá)到了穩(wěn)定的狀態(tài)，而溝道是電子流通的渠道，耗盡層和溝道一般是相對(duì)的耗盡層窄了，溝道就寬了，反之亦然． PNP為耗盡型MOS管，NPN為增強(qiáng)型MOS管 http://www.ekv.cn/Article/electric/control/electron/200606/Article_27809.html: 回答者：網(wǎng)友

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