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測量磁場用的特斯拉計是利用什么效應制成的

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好吧，　　在半導體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得半導體中的電子與空穴　　霍爾效應　　受到不同方向的洛倫茲力而在不同方向上聚集，在聚集起來的電子與空穴之間會產(chǎn)生電場，此電場將會使后來的電子和空穴受到電場力的作用而平衡掉磁場對其產(chǎn)生的洛倫茲力，使得后來的電子和空穴能順利通過不會偏移，此稱為霍爾效應。而產(chǎn)生的內(nèi)建電壓稱為霍爾電壓　　方便起見，假設(shè)導體為一個長方體，長度分別為a、b、c，磁場垂直ab平面。電流經(jīng)過ad，電流I = nqv(ad)，n為電荷密度。設(shè)霍爾電壓為VH，導體沿霍爾電壓方向的電場為VH / a。設(shè)磁場強度為B。　　洛倫茲力　　f=qE+qvB/c(Gauss 單位制) 　　電荷在橫向受力為零時不在發(fā)生橫向偏轉(zhuǎn)，結(jié)果電流在磁場作用下在器件的兩個側(cè)面出現(xiàn)了穩(wěn)定的異號電荷堆積從而形成橫向霍爾電場　　E= - vB/c 　　由實驗可測出 E= UH/W 定義霍爾電阻為　　RH= UH/I =EW/jW= E/j 　　j = q n v 　　RH=-vB/c /(qn v)=- B/(qnc) UH=RH I= -B I /(q n c) 　　n為電荷密度，: 回答者：網(wǎng)友

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